Messotron 直流LVDT和LVIT传感器

Messotron 直流LVDT和LVIT传感器
具有集成电路的LVDT和LVIT传感器系统具有集成电子元件的LVDT和LVIT传感器系统(通常称为DC/DC传感器)具有集成在位移传感器主体中或作为SMD基础微型电子设备的连接法兰中所需的调节电子设备(CF测量放大器)。电子元件由直流电压供电,并提供位移比例信号(直流电压,电流或数字信号)。带有集成电子元件的传感器系统要么基于带有自由芯的传感器,要么基于耐压传感器。LVDTDAA/DAA...G.
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系列一 系列二 系列三 系列四 系列五

具有集成电路的LVDT和LVIT传感器系统

具有集成电子元件的LVDT和LVIT传感器系统(通常称为DC / DC传感器)具有集成在位移传感器主体中或作为SMD基础微型电子设备的连接法兰中所需的调节电子设备(CF测量放大器)。电子元件由直流电压供电,并提供位移比例信号(直流电压,电流或数字信号)。

带有集成电子元件的传感器系统要么基于带有自由芯的传感器,要么基于耐压传感器。

 


DAA / DAA ...... G.

LVDT DAA / DAA ... G.

位移25 ... 1000 mm 
24 VDC / 4 ... 20 mA输出
(也可提供+/- 15 VDC电源)

DAA:坚固的浸入式核心(免费)

DAA ... G:浸入式磁芯采用直线轴承引导,
带有球形接头

DAE / DAE ...... G.

LVDT DAE / DAE ... G.

  • 位移25 ... 1000毫米
  • 24 VDC / 0 ... 10 V输出
  • (也可提供+/- 15 VDC电源)

DAE:坚固的浸入式核心(免费)

DAE ... G:浸入式磁芯采用直线轴承引导,
带有球形接头

申

LVDT DEU

  • 位移:15 ... 1000毫米
  • 电源:+/- 15 V或24 VDC
  • 输出:+/- 10 V选项:0 ... 10V
DAE / DAE ...... G.

LVDT DOE

  • 位移:25 ... 1000 mm
  • 电源:+/- 15 V.
  • 输出:+/- 10 V.
DAE / DAE ...... G.

LVDT DOI

  • 位移:25 ... 1000 mm
  • 电源:+20 ... 30 V.
  • 输出:4 ... 20 mA
WA

LVIT WA

  • 非常短的结构涡流原理
  • 位移60 ... 1000毫米
  • 耐压高达320巴
  • WA:+/- 15 VDC / 4 ... 20 mA / 4引脚
  • 内部传感器主体
  • 4孔法兰,护套芯
WA / WE / WI

我们

  • 非常短的结构涡流原理
  • 位移60 ... 1000毫米
  • 耐压高达320巴
  • WA:+/- 15 VDC / 10 ... 20 mA / 4引脚
  • 内部传感器主体
  • 4孔法兰,护套芯
WA / WE / WI

LVIT WI

  • 非常短的结构涡流原理
  • 位移60 ... 1000毫米
  • 耐压高达320巴
  • 20 ... 30 VDC / 4 ... 20 mA / 2引脚
  • 内部传感器主体
  • 4孔法兰,护套芯

 


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